Hybrid Memory Cube: la RAM diventa 3D

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Transistor 3D? Fa tanto 2011. Il novo design di RAM di IBM, che impiega un processo di fabbricazione in 3D, è dove risiede il vero futuro. Sviluppato in collaborazione con Micron, l'Hybrid Memory Cube usa un processo di manifattura a 32nm ed è 15 volte più veloce di una RAM attuale. Il segreto della tecnologia risiede nell'uso di TSV che sono una sorta di tunnel verticali che uniscono i transistor su più livelli.

Inizialmente queste tecnologia sarà usata per IT su larga scala e applicazioni server, ma come la storia dell’informatica ci insegna, è solo questione di tempo prima che entri nei dispositivi che tutti noi usiamo quotidianamente. (c.c.)
[Fonte: Gizmodo USA]

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